MTE652T2
MTE652T2 M.2 SSD de Transcend diseñado con la interfaz PCI Express (PCIe) Gen 3 x4 y es compatible con las especificaciones NVM Express (NVMe) 1.3, entregando velocidades de transferencia incomparables. El MTE652T2 utiliza la última tecnología 3D NAND para una mayor eficiencia de almacenamiento, el PCB cuenta con pines de conexión de oro con espesor de 30µ y tecnología de corner bond para mayor durabilidad, DRAM caché incorporada para un acceso rápido, un rango extendido de temperatura de funcionamiento de -20°C a 75°C, y una clasificación de resistencia de 3K ciclos de Programar/Eliminar para una operación confiable.
Características de Firmware
- Soporta comandos NVM
- Dynamic thermal throttling
- Función LDPC ECC (Error Correction Code) Integrado
- Avanzado Nivelación de Desgaste Global y Administración de Bloques Defectuosos para fiabilidad
- Recolección de Basura Avanzado
- Cifrado de disco enterco con Advanced Encryption Standard (AES) (opcional)
Características de Hardware
- Cumple con los estándares RoHS
- Cumple con las especificaciones NVM Express 1.3
- Cumple con las especificaciones PCI Express 3.1
- Factor de forma M.2 (80mm) – ideal para dispositivos informáticos móviles
- Interfaz PCIe Gen 3 x 4
- Módulo DDR3 caché integrado
- Resistencia: 3K ciclos P/E (Programar/Eliminar) garantizados
- Los componentes principales son reforzados de fábrica con la tecnología Corner Bond
- PCB cuenta con pines de conexión de oro con espesor de 30µ
- Power Shield (PS) to ensure data transfer integrity and minimize data corruption in the drive during an abnormal power outage
- Fiabilidad operativa prometida en un rango de temperatura ampliado (de -20 ° C a 75 ° C)
Especificaciones
Apariencia |
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| Dimensiones | 80 mm x 22 mm x 3.58 mm (3.15″ x 0.87″ x 0.14″) |
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| Peso | 9 g (0.32 oz) |
| Factor de Forma |
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| Tipo M.2 |
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Interfaz |
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| Interfaz de Bus |
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Almacenamiento |
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| Tipo de Flash |
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| Capacidad |
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Ambiente de Operación |
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| Voltaje de Operación |
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| Temperatura de Operación |
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| Temperatura de Almacenamiento | -55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F) |
| Humedad | 5% ~ 95% |
| Golpe |
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| Vibración (No-Operando) | 20 G (Pico-a-Pico), 7 Hz ~ 2000 Hz (frecuencia) |
Alimentación |
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| Consumo de energía (Operando) | 3.3 vatio(s) |
| Consumo de energía (IDLE) | 0.6 vatio(s) |
Rendimiento |
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| Lectura / Escritura Secuencial (CrystalDiskMark) | Lectura: Hasta 2,100 MB/s Escritura: Hasta 1,250 MB/s |
| Lectura / Escritura Aleatoria 4K (IOmeter) | Lectura: Hasta 190,000 IOPS Escritura: Hasta 290,000 IOPS |
| Tiempo Medio entre Fallos (MTBF) | 3,000,000 hora(s) |
| Terabytes Escrito (TBW) | Hasta 1,080 TBW |
| Numero de Discos Escrito por Día (DWPD) | 2 (3 años) |
| Nota |
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