MTE710T
La SSD M.2 MTE710T de Transcend utiliza la interfaz PCI Express (PCIe) Gen 4 x4 y es compatible con las especificaciones de NVM Express (NVMe) 1.4, consiguiendo así velocidades de transferencia nunca vistas. La MTE710T cuenta con tecnología 3D NAND de última generación, que permite apilar verticalmente 112 capas de chips 3D NAND Flash. En comparación con la tecnología 3D NAND de 96 capas, este avance en la densidad mejora en gran medida la eficiencia del almacenamiento, y su caché DRAM integrada permite un acceso más rápido. La MTE710T, equipada con la tecnología Corner Bond y con conectores PCB de 30 µ», ha pasado por numerosas pruebas internas para garantizar su fiabilidad en aplicaciones clave, y cuenta con un grado de durabilidad de 3000 ciclos de escritura y borrado, además de una temperatura de funcionamiento ampliada que oscila entre los -20 ℃ y los 75 ℃.
Características de Firmware
- Soporta comandos NVM
- Tecnología de caché SLC
- Dynamic thermal throttling
- Función LDPC ECC (Error Correction Code) Integrado
- Avanzado Nivelación de Desgaste Global y Administración de Bloques Defectuosos para fiabilidad
- Recolección de Basura Avanzado
- Función S.M.A.R.T. mejorado para durabilidad
- Comando TRIM para mejor rendimiento
- Cifrado de disco enterco con Advanced Encryption Standard (AES) (opcional)
Características de Hardware
- Cumple con los estándares RoHS
- Cumple con las especificaciones PCI Express 3.1
- Cumple con las especificaciones NVM Express 1.4
- Factor de forma M.2 (80mm) – ideal para dispositivos informáticos móviles
- Interfaz PCIe Gen 4 x 4
- Módulo DDR4 caché integrado
- Resistencia: 3K ciclos P/E (Programar/Eliminar) garantizados
- Los componentes principales son reforzados de fábrica con la tecnología Corner Bond
- PCB cuenta con pines de conexión de oro con espesor de 30µ
- Fiabilidad operativa prometida en un rango de temperatura ampliado (de -20 ° C a 75 ° C)
- Soporta el software Scope Pro de Transcend
Especificaciones
Apariencia |
|
| Dimensiones | 80 mm x 22 mm x 3.58 mm (3.15″ x 0.87″ x 0.14″) |
|---|---|
| Peso | 10 g (0.35 oz) |
| Factor de Forma | M.2 |
| Tipo M.2 | 2280-D2-M (Doble cara) |
Interfaz |
|
| Interfaz de Bus | NVMe PCIe Gen4 x4 |
Almacenamiento |
|
| Tipo de Flash | Flash 3D NAND |
| Capacidad | 256 GB/
512 GB/ 1 TB/ 2 TB |
Ambiente de Operación |
|
| Voltaje de Operación | 3.3V±5% |
| Temperatura de Operación |
Extentida
-20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F) |
| Temperatura de Almacenamiento | -55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F) |
| Humedad | 5% ~ 95% |
| Golpe | 1500 G, 0.5 ms, 3 ejes |
| Vibración (Operando) | 20 G (Pico-a-Pico), 7 Hz ~ 2000 Hz (frecuencia) |
Alimentación |
|
| Consumo de energía (Operando) | 4.9 vatio(s) |
| Consumo de energía (IDLE) | 1.52 vatio(s) |
Rendimiento |
|
| Lectura / Escritura Secuencial (CrystalDiskMark) | Lectura: Hasta 3,800 MB/s Escritura: Hasta 3,200 MB/s |
| Lectura / Escritura Aleatoria 4K (IOmeter) | Lectura: Hasta 500,000 IOPS Escritura: Hasta 560,000 IOPS |
| Tiempo Medio entre Fallos (MTBF) | 5,500,000 hora(s) |
| Terabytes Escrito (TBW) | Hasta 1,700 TBW |
| Numero de Discos Escrito por Día (DWPD) | 1.55 (3 años) |
| Nota | La velocidad puede variar debido al host, el hardware, el software, el uso y la capacidad de almacenamiento.
La carga de trabajo utilizada para calificar DWPD puede ser diferente comparando con su carga de trabajo real, debido a la diferencia de hardware, software, uso y capacidad de almacenamiento del host. Terabytes Written (TBW) indica la resistencia bajo la capacidad más alta. |
